| 发明名称 |
OXIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| 摘要 |
n 형 또는 p 형 실리콘 (Si) 기판과, 산화물 반도체층과, 쇼트키 전극층을 갖는 쇼트키 배리어 다이오드 소자로서, 상기 산화물 반도체층이 갈륨 (Ga) 을 주성분으로 하는 다결정 산화물 및 비정질 산화물 중 어느 일방 또는 양방을 함유하는 쇼트키 배리어 다이오드 소자. |
| 申请公布号 |
KR20160043968(A) |
申请公布日期 |
2016.04.22 |
| 申请号 |
KR20167004122 |
申请日期 |
2014.08.08 |
| 申请人 |
IDEMITSU KOSAN CO., LTD. |
发明人 |
TOMAI SHIGEKAZU;SHIBATA MASATOSHI;KAWASHIMA EMI;YANO KOKI;HAYASAKA HIROMI |
| 分类号 |
H01L29/47;H01L21/04;H01L29/26;H01L29/43;H01L29/51;H01L29/872 |
主分类号 |
H01L29/47 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
