| 摘要 |
본 발명은 발광 다이오드 제조방법 및 이에 의하여 제조된 발광 다이오드에 관한 것으로서, 본 발명의 일 측면은,제1 반응 챔버에서, 기판 상에 제1 도전형 질화물 반도체층 및 언도프 질화물 반도체층을 순차적으로 성장시키는 단계와, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 및 언도프 질화물 반도체층이 성장된 상태의 상기 기판을 제2 반응 챔버로 이송하는 단계와, 상기 제2 반응 챔버에서, 상기 언도프 질화물 반도체층 상에 추가적인 제1 도전형 질화물 반도체층을 성장시키는 단계와, 상기 추가적인 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 활성층을 성장시키는 단계 및 상기 활성층 상에 제2 도전형 질화물 반도체층을 성장시키는 단계를 포함하는 발광 다이오드 제조방법을 제공한다. |
