强化扩散阻隔层特性之氧电浆处理方法

摘要

一种强化扩散阻隔层特性之氧电浆处理方法，用以强化铝矽界面之扩散阻隔层的高温制程承受力。知之扩散阻隔层是利用快速热氮化法(Rapid Thermal Nitridation，简称RTN)形成之氮化钛构成。本发明之氧电浆处理方法，系于氮化钛上实施氧电浆处理，一方面使得扩散阻隔层的厚度增加，另一方面让氧填补了扩散通道。整体而言，使得扩散阻隔层承受后续高温制程的能力增加。

主权项

1. 一种强化扩散阻隔层特性之氧电浆处理方法,用以形成一扩散阻隔层于一矽基板及一铝金属层之间,防止该矽基板及该铝金属层间之交互扩散作用,并以氧填补该扩散阻隔层之空隙,该方法包括下列步骤:形成该扩散阻隔层于该矽基板上;利用氧电浆撞击该扩散阻隔层;提供该铝金属层覆盖该扩散阻隔层。2. 如申请专利范围第1项所述之氧电浆处理方法,其中,形成该扩散阻隔层之位置为一铝矽界面接触窗。3. 如申请专利范围第1项所述之氧电浆处理方法,其中,该扩散阻隔层为一氮化钛层。4. 如申请专利范围第3项所述之氧电浆处理方法,其中,形成该氮化钛层的方法为快速热氮化法。图示简单说明:第1图表示本发明之氧电浆处理方法的流程剖面图。第2图为一比较图表,用以表示习知技术之RTN和本发明之RTN加上氧电浆处理后之氮化钛层,在5.5V的逆向偏压下