| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体电容器的制造方法,包括下列步骤:(a)提供一具有电晶体及位元线之半导体基底;(b)于该半导体基底上依序形成一覆盖该电晶体及位元线之下绝缘层、蚀刻停止层及上绝缘层;(c)于该上绝缘层表面形成一具有开口的光阻层;(d)透过该光阻层之开口湿蚀刻该上绝缘层至该蚀刻停止层以形成一碗状开口;(e)透过该光阻层之开口及碗状开口乾蚀刻该蚀刻停止层和下绝缘层至该电晶体之接触区,以形成一接触窗;(f)去除该光阻层;(g)沿该碗状开口顺应性形成一第一导电属于该上绝缘层表面并填满接触窗;及(h)依序顺应性形成一介电层及一第二导电层于该第一导电层表面,形成一碗状电容器。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该下绝缘层为一氧化层。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该蚀刻停止层为一氮化矽层。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该上绝缘层为一氧化层。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该湿蚀刻步骤为利用氢氟酸溶液对上绝缘层进行蚀刻以形成碗状开口。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该电晶体之接触区系为一源极区。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一导电层为一复晶矽层。8.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中该第一导电层更包括于其表面选择性形成一半球状晶粒层。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(g)更包括蚀刻该上绝缘层至该蚀刻停止层,以露出该第一导电层之碗状背面部分。10.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该步骤(g)系利用湿蚀刻方式除去该上绝缘层。11.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第二导电层为一复晶矽层。12.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该介电层为一氧化层/氮化矽层/氧化层。图式简单说明:第一图A至第一图E为根据习知技术之动态随机存取记忆体电容器的制造流程剖面图。第二图A至第二图H为根据本发明较佳实施例之动态随机存取记忆体电容器的制造流程剖面图。 |
