发明名称 护层的制造方法
摘要 一种护层的制造方法,适用于一基底,此基底至少包括介电层以及金属层位于基底之表面,基底更包括一沟渠暴露出介电层,其中沟渠的底部低于金属层,此护层的制造方法系先于基底上形成氧化层,其中氧化层共形于基底之表面。接着,于氧化层上形成第一氮化矽层,其中氧化层共形于第一氮化矽层的表面,且具有一凹陷位于沟渠上方。之后,于第一氮化矽层上形成一旋涂式玻璃层填满该凹陷并覆盖第一氮化矽层。然后,于旋涂式玻璃层上形成第二氮化矽层。
申请公布号 TW429509 申请公布日期 2001.04.11
申请号 TW088106215 申请日期 1999.04.19
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 陈维孝;陈舜政;刘灿文
分类号 H01L21/76 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种护层的制造方法,适用于一基底,该基底至少包括一介电层以及位于该基底表面之一金属层,该基底更包括一沟渠暴露出该介电层,其中该沟渠的底部低于该金属层,该护层的制造方法包括:于该基底上形成一氧化层,其中该氧化层共形于该基底之表面:于该氧化层上形成一第一氮化矽层,其中该氧化层共形于该第一氮化矽层的表面,且具有一凹陷位于该沟渠上方:于该第一氮化矽层上形成一旋涂式玻璃层填满该凹陷并覆盖该第一氮化矽层;以及于该旋涂式玻璃层上形成一第二氮化矽层。2.如申请专利范围第1项所述之护层的制造方法,其中该旋涂式玻璃层的厚度约为1010至1310埃。3.如申请专利范围第1项所述之护层的制造方法,其中该旋涂式玻璃层的厚度约为1160埃。4.如申请专利范围第1项所述之护层的制造方法,其中该氧化层的厚度约为675至825埃。5.如申请专利范围第1项所述之护层的制造方法,其中该氧化层的厚度约为750埃。6.如申请专利范围第1项所述之护层的制造方法,其中该第一氮化矽层的厚度约为576至704埃。7.如申请专利范围第1项所述之护层的制造方法,其中该第一氮化矽层的厚度约为640埃。8.如申请专利范围第1项所述之护层的制造方法,其中该第二氮化矽层的厚度约为1080至1320埃。9.如申请专利范围第1项所述之护层的制造方法,其中该第二氮化矽层的厚度约为1200埃。10.一种液晶显示器,至少包括:一控制器;一基底配置于该控制器上,该基底更至少包括:一介电层;一金属层,位于该介电层上;以及一沟渠暴露出该介电层,其中该沟渠底部低于该金属层;一护层结构,该护层结构更至少包括:一氧化层,其中该氧化层共形于该基底之表面;一第一氮化矽层,位于该氧化层上,其中该氧化层共形成于第一氮化矽层的表面,且具有一凹陷位于该沟渠上方;一旋涂式玻璃层填满该凹陷并覆盖该第一氮化矽层;以及一第二氮化矽层,位于该旋涂式玻璃层上;一液晶层;一显示面板;以及一滤光器。11.如申请专利范围第10项所述之液晶显示器,其中该旋涂式玻璃层的厚度约为1010至1310埃。12.如申请专利范围第10项所述之液晶显示器,其中该旋涂式玻璃层的厚度约为1160埃。13.如申请专利范围第10项所述之液晶显示器,其中该氧化层的厚度约为675至825埃。14.如申请专利范围第10项所述之液晶显示器,其中该氧化层的厚度约为750埃。15.如申请专利范围第10项所述之液晶显示器,其中该第一氮化矽层的厚度约为576至704埃。16.如申请专利范围第10项所述之液晶显示器,其中该第一氮化矽层的厚度约为640埃。17.如申请专利范围第10项所述之液晶显示器,其中该第二氮化矽层的厚度约为1080至1320埃。18.如申请专利范围第10项所述之液晶显示器,其中该第二氮化矽层的厚度约为1200埃。图式简单说明:第一图绘示一种习知护层及其所保护的基底的结构剖面示意图;第二图绘示另一种习知护层及其所保护的基底的结构剖面示意图;第三图A至第三图E绘示根据本发明,一种护层的制造流程剖面示意图;以及第四图绘示根据本发明,一种液晶显示器的结构剖面示意图。
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