| 摘要 |
유기 광다이오드를 구비한 영상 센서를 형성하는 실시예가 제공된다. 유기 광다이오드는 암전류를 감소시키기 위해 유기 광다이오드의 아노드 다음에 형성된 이중 전자-차단층을 사용한다. 이중 전자-차단층을 사용함으로써, 이웃한 아노드층 및 유기 전자-차단층을 위한 최고준위 점유 분자 궤도(HOMO)의 값은 좋은 성능을 구비한 광다이오드를 형성하기 위해 이중 전자-차단층들 중 하나에 의해 정합된다. 이중 전자-차단층의 최저준위 점유 분자 궤도(LOMO)의 값은 암전류를 감소시키기 위해 이웃한 아노드층 보다 낮도록 선택된다. |
