| 发明名称 | 扩散剂组合物 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种扩散剂组合物，即使在以纳米级的膜厚将所述扩散剂组合物涂布在半导体衬底上时，也能够使杂质扩散成分良好地扩散至半导体衬底中。本发明的解决手段为：使扩散剂组合物中含有杂质扩散成分(A)、和下式(1)表示的可通过水解而生成硅烷醇基的Si化合物(B)，并使扩散剂组合物的水分含量为0.05质量％以下。式(1)中，R为烃基，n为整数3或4。R<sub>4－n</sub>Si(NCO)<sub>n</sub> ···(1)。 | ||
| 申请公布号 | CN106067416A | 申请公布日期 | 2016.11.02 |
| 申请号 | CN201610243939.X | 申请日期 | 2016.04.18 |
| 申请人 | 东京应化工业株式会社 | 发明人 | 泽田佳宏 |
| 分类号 | H01L21/225(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/225(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 杨宏军 |
| 主权项 | 一种扩散剂组合物，其是用于向半导体衬底中扩散杂质的扩散剂组合物，其包含杂质扩散成分(A)、和下式(1)表示的可通过水解而生成硅烷醇基的Si化合物(B)，所述扩散剂组合物中的水分含量为0.05质量％以下，R<sub>4－n</sub>Si(NCO)<sub>n</sub>···(1)式(1)中，R为烃基，n为整数3或4。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||