发明名称 SCHOTTKY-GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPH0621101(A) 申请公布日期 1994.01.28
申请号 JP19910008268 申请日期 1991.01.28
申请人 NEC CORP 发明人 MATSUNOSHITA MAKOTO
分类号 H01L29/812;H01L21/338;(IPC1-7):H01L21/338 主分类号 H01L29/812
代理机构 代理人
主权项
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