| 主权项 |
1.一种TCP型半导体封装方法,该封装方法包含:在一卷带上对应黏贴固定一晶片;在该卷带及晶片之间进行内引脚焊接;在该晶片上利用环氧树脂进行画胶;将该卷带利用二段式后烘烤制程进行烘烤,该二段式后烘烤制程包含第一段后烘烤制程及第二段后烘烤制程,该第一段后烘烤制程之温度低于第二段后烘烤制程之温度;及在该晶片上进行盖印;其中该第一后烘烤制程针对环氧树脂加热处理,利用化学加成反应改变树脂性质;其中该第二段后烘烤制程针对锡层加热处理,利用熔化卷带之锡须及锡箔层消除已长出的锡须,该熔化锡与铜箔层之间形成更稳定的合金层以避免再长出锡须。2.依申请专利范围第1项之TCP型半导体封装方法,其中该第二段后烘烤制程之温度介于约240℃至275℃之间。3.依申请专利范围第2项之TCP型半导体封装方法,其中该第二段后烘烤制程持续10分钟。4.依申请专利范围第1项之TCP型半导体封装方法,其中该第一段后烘烤制程之温度为120℃,其持续加热处理2小时。5.依申请专利范围第1项之TCP型半导体封装方法,其中在进行该第二段后烘烤制程时,通入氮气或其他惰性气体以避免其他材料发生裂解。6.依申请专利范围第1项之TCP型半导体封装方法,其中该第一段后烘烤制程进行后,连续接着进行第二段后烘烤制程,其简化封装制程。图式简单说明:第1图:习用美国专利第5646441号之TAB卷带之上视图。第2图:在TCP型半导体封装上卷带之锡箔层长出锡须之示意图。第3图:本发明较佳实施例TCP型半导体封装方法之流程方块图。第4图:本发明利用TCP型半导体封装方法在卷带上进行第二段后烘烤制程完成之示意图。 |
