DRAM混载半导体装置

摘要

为提供抑制DRAM之感测放大器电晶体对间之特性差、且谋求感测放大器之高感度化之半导体装置。构成DRAM之CMOS感测放大器之N型感测放大器电晶体的闸极电极对、及P型感测放大器电晶体的闸极电极对，系分别沿与位元线同一方向平行配置于1个主动区域内；邻接之N型感测放大器电晶体对及邻接之P型感测放大器电晶体对，系被STI绝缘分离。