| 摘要 |
用于形成一p通道金氧半导体(PMOS)装置之方法，此装置适用于藉由避免各掺杂物均匀度之劣化(由于被植入通道区域中的各掺杂物之外扩散和隔离所造成)，来把一临界电压的改变宽度降低。该方法包含的步骤有：在半导体基体的表面之下，形成一通道区域；透过一第一回火制程，藉由提升各温度速度(其系相互不同)以把被植入该通道区域中的各掺杂物活化；接下来在该半导体基体上，形成一闸极氧化层和一闸极电极；在该半导体基体中的闸极电极的两面上，形成一源极／汲极区域；以及透过一第二回火制程(其系以与该第一回火制程相同的状况来实施)，来把被植入该等源极／汲极中的掺杂物活化。 |
