发明名称 | 高发光效率之发光元件 | ||
摘要 | 一种高发光效率之发光元件,其中存在一基板;形成于该基板上之一第一氮化物半导体叠层;形成于该第一氮化物半导体叠层上之一氮化物发光层;形成于该氮化物发光层上之一第二氮化物半导体叠层,其中,该第二氮化物半导体叠层相对于该氮化物发光层之表面处,具有复数个向下延伸之内六角锥形孔穴构造;形成于该第二氮化物半导体叠层上之一氧化物透明导电层,该氧化物透明导电层与该第二氮化物半导体叠层表面之内六角锥形孔穴之内侧表面形成低电阻欧姆接触,以降低发光元件之操作电压,提高发光元件之发光效率。 | ||
申请公布号 | TW200601575 | 申请公布日期 | 2006.01.01 |
申请号 | TW093118481 | 申请日期 | 2004.06.24 |
申请人 | 晶元光电股份有限公司 | 发明人 | 欧震;林鼎洋;赖世国 |
分类号 | H01L31/00 | 主分类号 | H01L31/00 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区园区三路48号 |