| 主权项 |
1﹒制作固态半导体装置之方法,包含:(1)提供一具有第一及第二相背对表面之矽底质;(2)在所述底质上形成一邻接所述第一表面之P/N接面;(3)使所述第一表面接受电浆表面定理以蚀刻所述第一表面上之一部份;(4)使所述第一表面接受在浆处理,包括(a)一氨电浆处理用以发生氢植入作用以及(b)一联合之矽烷与氨电浆处理用以发生额外之氢植入并形成一聚矽氢氮被覆层(5)往所述聚矽氢氮上蚀刻出一预定之二维图案以使所述第一表面之各选定部份不为所述聚矽氢氮被覆层所覆盖;(6)将一铝被覆层敷加于所述第二相背对表面;(7)将所述矽底质加热至一温度并维持一段充分之时间以使所述铝被覆层之铝成份与所述矽底质形成合金;以后(8)将一导电性金属被覆层敷加于所述第一表面及所述铝被覆层之各选定部位上。2﹒如申请专利范围第1项之方法,尚包括烧结所述导电金属被覆层之步骤以使所述导电金属与矽粘结以于其界面形成一金属矽化物。3﹒如申请专利范围第1项之方法,其中所述电浆表面蚀刻处理包括使所述第一表面接受一含氟电浆之处理。4﹒如申请专利范围第1项之方法,其中步骤(7)使所述聚矽氢氮被覆层密实以使其在所选蚀刻剂中有较低之蚀刻率。5﹒如申请专利范围第1项之方法,其中步骤(7)亦将所植入之氢更进一步驱入底质内。6﹒如申请专利范围第1项之方法,其中所述步骤(3)系在室温不进行。7﹒如申请专利范围第1项之方法,其中所述底质之所述第一表面系予蚀刻约成0﹒05微米之深度。8﹒如申请专利范围第1项之方法,其中所述表面蚀刻处理包括使所述第一表面与一含氟电浆接触,该电浆包含O2以及CF4或C2F6。9﹒如申请专利范围第6项之方法,其中所述表面蚀刻处理包括使所述第一表面与一含氟电浆接触该电浆包含O2.CF4以及一钝气。10﹒如申请专利范围第6项之方法,其中所述表面蚀刻处理包括使所述第一表面与一含氟电浆接触,该电浆包含O2及C2F6。11﹒制作固态半导体装置之方法,包含:(1)提供一具有第一及第二相背对表面之矽底质;(2)在所述底质上形成一邻接所述第一表面之P/N接面;(3)使所述第一表面接受电浆表面蚀刻处理,包括一由O2以及CF4或C2F6所成电浆混合物;(4)使所述第一表面接受进一步之电浆处理,包括(a)一氨电浆处理用以发生氢植入作用以及(b)一联合之矽烷与氨电浆处理用以发主额外之氢植入作用并形成一特色为具SixHyNz化学式之聚矽氢氮被覆层;(5)将所述聚矽氢氮被覆层覆以一粘性之光抗蚀涂料;(6)将所述光抗蚀涂层藉由一界定一预定二维图案之面罩暴露于辐射能之下;(7)以化学方法使所述光抗蚀层显像,如此即按照所述各预定图案将所述抗蚀层之各选定部份自所述聚矽氢氮被覆层除去;(8)将所述聚矽氢氮被覆层不覆有所述光抗蚀层之各该部份除去以使所述第一表面之各选定部份暴露于气罩下;(9)将一铝被覆层敷加于所述第二相背对表面上;(10)将所述矽底质加热至一温度并维持一段充分之时间以使所述铝被覆层之铝成份与所述矽底质形成合金且将所植入之氢更进一步驱入该底质内;以及(11)将一导电且可熔焊金属之被覆层敷加于所述第一表面以及所述铝被覆层之各所述选定部份上。12﹒如申请专利范围第11项之方法,其中所述第一电浆表面处理包括使用一含有氧及CF4之电浆。13﹒如申请专利范围第11项之方法,其中所述第一电浆表面处理包括使用一含有O2及C2F6之电浆。14﹒如申请专利范围第11项之方法,其中该聚矽氢氮被覆层之厚度约在840至890埃间。15﹒如申请专利范围第11项之方法,其中该聚矽氢氮被覆层之折射率在步骤(10)之后为2﹒15。16﹒如申请专利范围第11项之方法,其中所述紧矽氢氮被覆层系以化学式SixHyNz代表,式中X及Z之范围各约为1﹒0至1﹒3而Y之范围约为0﹒05至0﹒30。17﹒制作固态半导体装置之方法,包含:(1)提供一具有第一及第二相背对表面之矽底质;(2)在所述底质上形成一邻接所述第一表面之P/N接面;(3)使所述第一表面接受电浆表面蚀刻处理,包括一含有O2以及CF4与C2F6中至少一种所成之电浆混合物,以蚀除一部份所述第一表面;(4)使所述第一表面接受一电浆处理,包括(a)一氨电浆处理用以发生氢植入作用以及(b)一联合之矽烷与氨电浆处理用以发生额外之氢植入作用并形成一聚矽氢氮被覆层;(5)将所述聚矽氢氮被覆层覆以一粘性光蚀涂料;(6)使所述光抗蚀涂层藉由一界定一预定二维图案之面罩暴露于辐射能之下;(7)以化学方法使所述光抗蚀层显像,如此即按照所述各预定图案将所述抗蚀层之各选定部份自所述聚矽氢氮氮被覆层除去(8)将所述聚矽氢氮被覆层不覆有所述光抗蚀层之各该部份移除以使所述第一表面之各选定部份暴露于气罩下;(9)将一铝被覆层敷加于所述第二相背对表面上;(10)将所述矽底质加热至一温度并维持一段充分之时间以使所述铝被覆层之铝成份与所述矽底质形成合金;(11)将一镍被覆层敷加于所述第一表面之各选定部位;(12)将所述镍被覆层烧结以上使镍与矽反应以于其界面形成矽化镍;因此所述聚矽氢氮被覆层之反射率约为2﹒15。 |
