发明名称 |
基于逆压电效应的3D芯片封装冷却结构 |
摘要 |
一种微电子技术领域的基于逆压电效应的3D芯片封装冷却结构,包括:封装3D芯片的封装腔和分别与封装腔左右两侧相连的振动驱动腔;所述的封装腔内设有沿厚度方向堆叠的若干芯片,上下两层芯片之间、底层芯片与封装腔之间均设有储存块,所述的储存块横向排布在上下层间形成若干横向微通道;所述的振动驱动腔内设有压电驱动器,所述的基于逆压电效应的3D芯片封装结构通过密封处理内部充注冷却工质,所述的冷却工质在压电驱动器的振动驱动下在微通道内震荡流动。本发明能够利用压电片的逆压电效应,驱动冷却工质在芯片间的微通道中流动,强化换热,确保芯片不超温。 |
申请公布号 |
CN106229304A |
申请公布日期 |
2016.12.14 |
申请号 |
CN201610637573.4 |
申请日期 |
2016.08.05 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
刘振华;刘进明;张凯伦 |
分类号 |
H01L23/44(2006.01)I;H01L23/467(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/44(2006.01)I |
代理机构 |
上海交达专利事务所 31201 |
代理人 |
王毓理;王锡麟 |
主权项 |
一种基于逆压电效应的3D芯片封装冷却结构,其特征在于,包括:用于3D芯片的封装腔和分别与封装腔左右两侧相连的振动驱动腔,其中:封装腔内设有沿厚度方向堆叠的若干芯片,上下两层芯片之间以及底层芯片与封装腔之间均设有储存块,该储存块排布在上下层间形成若干横向微通道,该微通道内充注冷却工质;所述的振动驱动腔内设有压电驱动器,冷却工质在压电驱动器的振动驱动下在微通道内震荡流动。 |
地址 |
200240 上海市闵行区东川路800号 |