| 发明名称 | 半导体元件 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及半导体元件。根据实施例，半导体元件包括支撑件，支撑件具有器件接收结构和互连结构在其中形成的侧面以及多个引线从其中延伸的侧面。具有控制端子以及第一载流端子和第二载流端子并且由III‑N半导体材料构成的半导体器件被安装到器件接收结构。第一电气互连的控制端子由第一电气互连耦合到第一引线。第二电气互连耦合在半导体器件的第一载流端子与第二引线之间。第一半导体器件的第二载流端子耦合到器件接收结构或者耦合到互连结构。 | ||
| 申请公布号 | CN205810794U | 申请公布日期 | 2016.12.14 |
| 申请号 | CN201620780195.0 | 申请日期 | 2016.07.22 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | 刘明焦;刘春利;A·萨利 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 一种半导体元件(10)，具有至少第一端子和第二端子，其特征在于包括：支撑件(12)，具有第一侧面和第二侧面以及多个引线(26，28，30)，支撑件(12)的第一侧面具有第一器件接收结构(18)、第二器件接收结构(20)和第一互连结构(21)，并且支撑件(12)的第二侧面具有接触(24)；第一半导体器件(40，40B)，安装到第一器件接收结构(18)，第一半导体器件(40)具有控制端子(54，55)以及第一载流端子(50)和第二载流端子(52)，并且由III‑N半导体材料配置成；第一电气互连(80，82)，耦合在第一半导体器件(40)的控制端子(54，55)与多个引线(26，28，30)的第一引线(30)之间；第二电气互连(76)，耦合在第一半导体器件(40)的第一载流端子(50)与第一互连结构(21)之间；以及第三电气互连(78)，耦合在第一半导体器件(40)的第二载流端子(52)与第二器件接收结构(20)之间。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||