SOI射频开关结构及集成电路

摘要

一种SOI射频开关结构及集成电路。SOI射频开关结构包括：按照前一个MOS晶体管的源极连接至相邻的后一个MOS晶体管的漏极的方式依次并排布置的多个MOS晶体管，每个MOS晶体管的源极和漏极通过各自的第一电阻器连接，每个MOS晶体管的栅极通过各自的第二电阻器连接栅极电压；所述多个MOS晶体管中的第一个MOS晶体管的漏极连接至输入信号，所述多个MOS晶体管中的最后一个MOS晶体管的源极连接输出信号；多个MOS晶体管中的最前面的两个MOS晶体管中的每个MOS晶体管的体区分别通过各自的第三电阻器接地，而且多个MOS晶体管中除了最前面的两个MOS晶体管之外的每个MOS晶体管的体区通过各自的反向二极管T1连接至栅极，且该MOS晶体管的栅极连接至该反向二极管T1的输出端。

主权项

一种SOI射频开关结构，其特征在于包括：按照前一个MOS晶体管的源极连接至相邻的后一个MOS晶体管的漏极的方式依次并排布置的多个MOS晶体管，其中所述多个MOS晶体管中的每个MOS晶体管的源极和漏极通过各自的第一电阻器连接，所述多个MOS晶体管中的每个MOS晶体管的栅极通过各自的第二电阻器连接栅极电压；而且，所述多个MOS晶体管中的第一个MOS晶体管的漏极连接至输入信号，所述多个MOS晶体管中的最后一个MOS晶体管的源极连接输出信号；其中，多个MOS晶体管中的最前面的两个MOS晶体管中的每个MOS晶体管的体区分别通过各自的第三电阻器接地，而且多个MOS晶体管中除了最前面的两个MOS晶体管之外的每个MOS晶体管的体区通过各自的反向二极管T1连接至栅极，且该MOS晶体管的栅极连接至该反向二极管T1的输出端。