| 摘要 |
본 발명은 커패시터형 화학 센서에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 커패시터형 후각 센서는 평면 형상의 제 1 기재, 제 1 기재 상에 형성된 제 1 전도성 전극, 제 1 전도성 전극 상에 형성된 절연층, 절연층 상에 형성되며, 제 1 전도성 전극과 교차하도록 형성된 제 2 전도성 전극, 제 2 전도성 전극의 상부에 형성된 평면 형상의 제 2 기재, 및 제 1 전도성 전극 및 제 2 전도성 전극에 전압을 인가하는 제어부를 포함하되, 제어부는 제 1 전도성 전극 및 제 2 전도성 전극에 의해 형성되는 커패시턴스를 검출하되, 커패시턴스 값은 검출 대상 물질의 존재 여부에 따라 변화하는 프린지 커패시턴스 성분을 포함한다. |
