| 发明名称 | 半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种FinFET制造方法，采用了一次或者多次氧化工艺，对低浓度的锗硅层进行处理，消耗其中的硅原子，进而增加锗原子的浓度，有利于获得具有更高迁移率的器件沟道，使FinFET性能进一步的提高成为可能；同时，由于本发明的衬底采用了体硅衬底，相比于SOI衬底，可以大幅降低成本，而且氧化工艺与传统工艺兼容，并不会增加工艺难度。 | ||
| 申请公布号 | CN106601810A | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201510673054.9 | 申请日期 | 2015.10.16 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 秦长亮;殷华湘;赵超 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种半导体器件制造方法，用于制造FinFET器件，其特征在于包括如下步骤：提供衬底；在所述衬底上形成防锗扩散阻挡层；在所述防锗扩散阻挡层上形成低浓度锗硅层；进行一次或者多次氧化工艺，消耗所述低浓度锗硅层中的硅，从而提高所述低浓度锗硅层中的锗含量，形成高浓度锗硅层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||