| 发明名称 | 氧化物烧结体、溅射靶以及氧化物薄膜 | ||
| 摘要 | 本发明涉及氧化物烧结体、溅射靶以及氧化物薄膜。一种氧化物烧结体，其特征在于，包含锌(Zn)、铟(In)、钛(Ti)、锡(Sn)、镓(Ga)、锗(Ge)和氧(O)，Zn含量按ZnO换算为40～80摩尔％，In含量按In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>换算为3～25摩尔％，Ti含量按TiO<sub>2</sub>换算为2～15摩尔％，Sn含量按SnO<sub>2</sub>换算为5～35摩尔％，Ga含量按Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>换算为0.5～10摩尔％，Ge含量按GeO<sub>2</sub>换算为0.5～10摩尔％。根据本发明，体电阻率低且能够进行DC溅射，能够形成具有所期望的折射率、透射率以及优良的化学特性的透明导电膜。 | ||
| 申请公布号 | CN105821377B | 申请公布日期 | 2017.03.29 |
| 申请号 | CN201510561233.3 | 申请日期 | 2015.09.06 |
| 申请人 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 发明人 | 奈良淳史;关秀人 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 一种氧化物烧结体，其特征在于，包含锌(Zn)、铟(In)、钛(Ti)、锡(Sn)、镓(Ga)、锗(Ge)和氧(O)，Zn含量按ZnO换算为40～80摩尔％，In含量按In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>换算为3～25摩尔％，Ti含量按TiO<sub>2</sub>换算为2～15摩尔％，Sn含量按SnO<sub>2</sub>换算为5～35摩尔％，Ga含量按Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>换算为0.5～10摩尔％，Ge含量按GeO<sub>2</sub>换算为0.5～10摩尔％。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||