| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的实施方式提供一种能够提高雪崩耐量的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：SiC层，其具有第1面及第2面；第1电极，其与第1面相接；第1导电型的第1SiC区域，其设置在SiC层内；第2导电型的第2SiC区域，其至少一部分包围第1电极与第1面相接的区域而设置在SiC层内，且设置在第1SiC区域与第1面之间；第2导电型的第3SiC区域，其包围第2SiC区域而设置在SiC层内，且设置在第1SiC区域与第1面之间，第2导电型杂质浓度低于第3SiC区域；及第2导电型的第4SiC区域，其设置在第2SiC区域与第3SiC区域之间的SiC层内，且第2导电型杂质浓度高于第2SiC区域。 | ||
| 申请公布号 | CN106531801A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201610137248.1 | 申请日期 | 2016.03.10 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 尾原亮一;野田隆夫;堀阳一 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 张世俊 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于具备：SiC层，具有第1面及第2面；第1电极，与所述第1面相接；第1导电型的第1SiC区域，设置在所述SiC层内；第2导电型的第2SiC区域，至少一部分包围所述第1电极与所述第1面相接的区域而设置在所述SiC层内，且设置在所述第1SiC区域与所述第1面之间；第2导电型的第3SiC区域，包围所述第2SiC区域而设置在所述SiC层内，且设置在所述第1SiC区域与所述第1面之间，第2导电型杂质浓度低于所述第2SiC区域；以及第2导电型的第4SiC区域，设置在所述第2SiC区域与所述第3SiC区域之间的所述SiC层内，且第2导电型杂质浓度高于所述第2SiC区域。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||