| 发明名称 | 存储系统 | ||
| 摘要 | 本发明的实施方式提供一种能够延长具备半导体存储装置的存储系统的寿命的存储系统。实施方式的存储系统(1)包含：半导体存储装置(100)，具备存储数据的区域；及控制器(200)，向半导体存储装置(100)发送写入命令。控制器(200)向半导体存储装置(100)的第1数据区域写入第1数据，在与第1数据的写入动作相关的第1状态失效的情况下，从半导体存储装置(100)读出第1数据，并对从半导体存储装置(100)读出的第1数据的错误进行订正。半导体存储装置(100)在错误订正失效的情况下，存储表示第1数据区域不良的第1信息，在错误订正通过的情况下，存储表示有关第1数据区域的与第1信息不同的状态的第2信息。 | ||
| 申请公布号 | CN106531223A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201610137238.8 | 申请日期 | 2016.03.10 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 岩井信;纲岛秀昭;冈崎昭夫 |
| 分类号 | G11C16/34(2006.01)I;G11C29/42(2006.01)I;G11C29/44(2006.01)I;G11C29/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 张世俊 |
| 主权项 | 一种存储系统，其特征在于，具备：半导体存储装置，具备存储数据的区域；及控制器，向所述半导体存储装置发送写入命令；且所述控制器是向所述半导体存储装置的第1数据区域写入第1数据，在与所述第1数据的写入动作相关的第1状态失效的情况下，从所述半导体存储装置读出所述第1数据，并对从所述半导体存储装置读出的所述第1数据的错误进行订正；所述半导体存储装置是在所述错误订正失效的情况下，存储表示所述第1数据区域不良的第1信息，在所述错误订正通过的情况下，存储表示有关所述第1数据区域的与所述第1信息不同的状态的第2信息。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||