| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 得到一种半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法能够抑制晶片翘曲，削减制造成本，得到导电性高的Ni膜。在具有彼此相对的第1及第2主面的半导体衬底(1)的第1主面形成第1主电极(9)。在半导体衬底(1)的第2主面形成第2主电极(13)。进行表面活性化处理，该表面活性化处理是对第1及第2主电极(9、13)的表面进行活性化。进行表面清洁化处理，该表面清洁化处理是对第1及第2主电极(9、13)的表面进行清洁化。在表面活性化处理及表面清洁化处理之后，通过湿式成膜法而在第1及第2主电极(9、13)之上分别同时形成含有大于或等于2％的晶体性Ni的第1及第2Ni膜(14、15)。 | ||
| 申请公布号 | CN106531620A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201610827162.1 | 申请日期 | 2016.09.14 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 中田和成;寺崎芳明;砂本昌利 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 何立波;张天舒 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有下述工序，即：在具有彼此相对的第1及第2主面的半导体衬底的所述第1主面形成第1主电极；在所述半导体衬底的所述第2主面形成第2主电极；进行表面活性化处理，该表面活性化处理是对所述第1及第2主电极的表面进行活性化；进行表面清洁化处理，该表面清洁化处理是对所述第1及第2主电极的表面进行清洁化；以及在所述表面活性化处理及所述表面清洁化处理之后，通过湿式成膜法而在所述第1及第2主电极之上分别同时形成含有大于或等于2％的晶体性Ni的第1及第2Ni膜。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||