不揮発性記憶装置、半導体素子およびキャパシタ

摘要

【課題】グラフェン導電体を用いた不揮発性記憶装置、半導体素子およびキャパシタを提供する。【解決手段】不揮発性記憶装置１００は、第１方向に伸びる第１配線層２と、第１方向に対して交差した第２方向に伸びる第２配線層３と、第１配線層２と第２配線層３の交点の第１配線層２と第２配線層３の間に有する導電層４と、第１配線層中に酸化物、窒化物、酸窒化物の少なくともいずれかを含む抵抗変化領域５を有し、抵抗変化領域５は第１配線層２と導電層との界面を含む第１配線層中に存在する。【選択図】図１