摘要 |
【課題】酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題の一とする。【解決手段】絶縁表面上に膜厚が1nm以上10nm以下の第1の材料膜(六方晶の結晶構造を有する膜)を形成し、第1の材料膜を核として、六方晶の結晶構造を有する第2の材料膜(結晶性酸化物半導体膜)を形成し、第1の材料膜と第2の材料膜の積層を形成する。第1の材料膜としては、ウルツ鉱型結晶構造を有する材料膜(例えば窒化ガリウム、或いは窒化アルミニウム)、或いはコランダム型結晶構造を有する材料膜(α−Al2O3、α−Ga2O3、In2O3、Ti2O3、V2O3、Cr2O3、或いはα−Fe2O3)を用いる。【選択図】図1 |