用于制作半导体器件的方法和半导体器件

摘要

本申请涉及用于制作半导体器件的方法和半导体器件。在布置于像素阵列部分中的多个像素中用于一个微透镜的具有多个光电二极管的每个像素中，防止经光电转换的电子在光电二极管之间移动，由此提高电子隔离特性，带来半导体器件的改善性能。在形成像素中的第一光电二极管的第一N^‑型半导体区域和形成像素中的第二光电二极管的第二N^‑型半导体区域之间的正下方的阱区域中，形成杂质密度高于阱区域的隔离区域。

主权项

一种半导体器件，具有固态图像感测元件，所述固态图像感测元件包括像素，所述像素包括第一光电二极管和第二光电二极管，所述半导体器件包括：半导体衬底；阱区域，具有第一导电类型，形成在所述半导体衬底的有源区域的上表面处；第一半导体区域和第二半导体区域，相互分开地形成在所述有源区域中的所述阱区域的上表面处；以及第三半导体区域，具有所述第一导电类型，在平面图中位于所述第一半导体区域和所述第二半导体区域之间，并且形成在所述第一半导体区域和所述第二半导体区域之下的所述阱区域中，其中，所述第一半导体区域和所述第二半导体区域都具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型，其中，所述第一半导体区域形成所述第一光电二极管，并且所述第二半导体区域形成所述第二光电二极管，以及其中，所述第三半导体区域的杂质浓度高于所述阱区域的杂质浓度。