一种抑制无铅焊点界面化合物生长的基板双镀层制备工艺

摘要

一种抑制无铅焊点界面化合物生长的基板双镀层制备工艺，包括化学镀Ni‑W‑P层和电镀Cu层。其中化学镀Ni‑W‑P层，其成分按质量百分比构成为：77‑80% Ni，14‑16% W，6‑7% P，所述镀层厚度为3~10µm；而电镀Cu层，其厚度为0.5~3µm。本发明制备的Ni‑W‑P/Cu双镀层成分符合电子封装锡基焊点界面反应阻挡层的使用要求，且镀层与基板结合紧密，镀层平整，厚度均匀，结构致密。本发明具有工艺流程简单、工艺参数容易控制等优势，所制备的Ni‑W‑P/Cu双镀层对锡基焊点界面化合物生长具有非常有效的抑制作用。

主权项

一种抑制无铅焊点界面化合物生长的基板双镀层制备工艺，其特征在于：A.所述双镀层包括化学镀Ni‑W‑P层和电镀Cu层：所述化学镀Ni‑W‑P层，其成分按质量百分比构成为：77‑80% Ni，14‑16% W，6‑7% P，所述镀层厚度为3~10µm；所述电镀Cu层厚度为0.5~3µm;B. 所述化学镀镀Ni‑W‑P层的制备工艺是：（1）化学镀液的配制：将硫酸镍、柠檬酸钠、次磷酸钠、乳酸、氯化铵和钨酸钠混合并加水搅拌均匀，再使用氨水溶液调整PH至7；所用试剂及药品的纯度为分析纯；化学镀的水浴温度为80~85℃;（2）将纯Cu片置于上述化学镀液中，同时放入0.1g/L的小铝片，保温静置2.5小时，得到Ni‑W‑P镀层厚度7µm；所得镀层厚度可据时间调整，镀层速度为2.84µm/h；C.所述电镀Cu层的制备工艺是：（1）电镀溶液的配制：将焦磷酸铜、硫酸铜、焦磷酸钾、磷酸氢二钾和硫酸混合溶于水中并搅拌均匀；（2）以已进行了化学镀Ni‑W‑P的基板作为阴极，纯铜板作为阳极，通入直流电流；电镀电流密度为1A/dm²，电压为3V ；电镀时间5min，电镀Cu厚度为1µm；所得镀层厚度可据时间调整，电镀的速率为0.2µm/min。