发明名称 |
Vergossenes Leiterrahmengehäuse und Verfahren zu dessen Herstellung |
摘要 |
Ein Halbleitervorrichtungsgehäuse beinhaltet einen Leiterrahmen und einen an dem Leiterrahmen montierten Halbleiterchip. Das Halbleitervorrichtungsgehäuse beinhaltet ferner einen Vergussverkapselungsstoff, der ausgelegt ist, den Leiterrahmen in Position zu vergießen. Ein Oberflächenbereich des Leiterrahmens verbleibt von dem Verkapselungsstoff freiliegend. Eine elektrisch isolierende Deckschicht erstreckt sich über einem Teil des Oberflächenbereichs und ist ausgelegt, den Oberflächenbereich in wenigstens zwei Zonen zu unterteilen. |
申请公布号 |
DE102016115722(A1) |
申请公布日期 |
2017.03.02 |
申请号 |
DE201610115722 |
申请日期 |
2016.08.24 |
申请人 |
Infineon Technologies AG |
发明人 |
Strutz, Volker;Schaller, Rainer Markus |
分类号 |
H01L23/495;H01L21/50;H01L23/31 |
主分类号 |
H01L23/495 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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