发明名称 Vergossenes Leiterrahmengehäuse und Verfahren zu dessen Herstellung
摘要 Ein Halbleitervorrichtungsgehäuse beinhaltet einen Leiterrahmen und einen an dem Leiterrahmen montierten Halbleiterchip. Das Halbleitervorrichtungsgehäuse beinhaltet ferner einen Vergussverkapselungsstoff, der ausgelegt ist, den Leiterrahmen in Position zu vergießen. Ein Oberflächenbereich des Leiterrahmens verbleibt von dem Verkapselungsstoff freiliegend. Eine elektrisch isolierende Deckschicht erstreckt sich über einem Teil des Oberflächenbereichs und ist ausgelegt, den Oberflächenbereich in wenigstens zwei Zonen zu unterteilen.
申请公布号 DE102016115722(A1) 申请公布日期 2017.03.02
申请号 DE201610115722 申请日期 2016.08.24
申请人 Infineon Technologies AG 发明人 Strutz, Volker;Schaller, Rainer Markus
分类号 H01L23/495;H01L21/50;H01L23/31 主分类号 H01L23/495
代理机构 代理人
主权项
地址