发明名称 非易失性存储装置
摘要 本发明提供非易失性存储装置,根据一实施方式,具备:在第1方向延伸并在与上述第1方向正交的第2方向排列的多个第1布线;在上述第1布线的各个上排列并在与包含上述第1方向和上述第2方向的平面交叉的第3方向延伸的多个第2布线;和存储器膜。在上述多个第2布线的各个和上述第1布线间设置控制元件。上述控制元件具备在上述第3方向延伸的导电部和与上述导电部的侧面隔着第1绝缘膜对向的控制电极。在上述第1布线上在上述第1方向排列的多个上述导电部的端部,设置调节部。在上述多个导电部中的端部配置的上述导电部和上述调节部之间,设置第1外缘电极。
申请公布号 CN104167489B 申请公布日期 2017.03.01
申请号 CN201310384453.4 申请日期 2013.08.29
申请人 株式会社 东芝 发明人 井柳克
分类号 H01L45/00(2006.01)I 主分类号 H01L45/00(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 刘瑞东;陈海红
主权项 一种非易失性存储装置,其特征在于,具备:多个第1布线,其在第1方向延伸并在与上述第1方向正交的第2方向排列;多个第2布线,其在上述第1布线的各个上排列并在与包含上述第1方向和上述第2方向的平面交叉的第3方向延伸;存储器膜;控制元件,其具有在上述多个第2布线的各个和上述第1布线之间设置并在上述第3方向延伸的导电部和与上述导电部的侧面隔着第1绝缘膜对向的控制电极;调节部,其在上述第1布线上在上述第1方向排列的多个上述导电部的端部设置;和第1外缘电极,其在上述多个导电部中的端部配置的上述导电部和上述调节部之间设置。
地址 日本东京都