| 发明名称 | 薄膜晶体管及制造该薄膜晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了薄膜晶体管(TFT)及制造该薄膜晶体管的方法。TFT包括厚度均匀的线形栅极。栅极的横截面在侧表面和顶表面相遇的地方是弯曲的。该栅极包括一条或两条或者更多条栅极线。 | ||
| 申请公布号 | CN102655174B | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201210054770.5 | 申请日期 | 2012.03.05 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 洪英基;郑在佑;李丞镐;金重赫 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：至少一条栅极线，在第一方向上延伸；栅极绝缘层，在所述至少一条栅极线上；源极和漏极，在所述栅极绝缘层上且彼此间隔开；沟道，在所述栅极绝缘层以及所述源极和所述漏极上；其中所述源极和所述漏极的每个包括在交叉所述第一方向的第二方向上延伸的公共部分，所述源极和所述漏极的至少一个包括至少一个延伸部分，该至少一个延伸部分在所述第一方向上平行于所述栅极线延伸，其中所述至少一个延伸部分的端部向上突出，所述沟道具有在所述至少一个延伸部分的所述端部上弯曲的弯曲横截面。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||