一种为浮栅存储器提供正负高压的字线驱动方法

摘要

本发明公开了一种为浮栅存储器提供正负高压的字线驱动方法，该方法包括，进行擦除操作时在所述第一输入端口施加‑9V到‑7V之间的电压；在所述第四输入端口施加1V到3V之间的电压；当所述字线驱动装置对应的字处于选中状态时，将所述第二输入端口浮空，在所述第三输入端口施加‑9V到‑7V之间的电压；当所述字线驱动装置对应的字处于未选中状态时，在所述第二输入端口施加4V到6V之间的电压，将所述第三输入端口浮空。本发明能减小擦除时非选中单元栅端和衬底间的电压差，能减弱FN擦除效应，能提高存储器系统操作的准确性。

主权项

一种为浮栅存储器提供正负高压的字线驱动方法，其特征在于，所述方法基于为浮栅存储器提供正负高压的字线驱动装置，所述字线驱动装置包括：P型晶体管(MP0)、第一N型晶体管(MN0)、第二N型晶体管(MN1)；所述P型晶体管(MP0)的栅端、所述第一N型晶体管(MN0)的栅端和用于输入电压的第一输入端口连接在一起，所述P型晶体管(MP0)的源端与用于输入电压的第二输入端口连接，所述第一N型晶体管(MN0)的源端接地，所述第二N型晶体管(MN1)的漏端与用于输入电压的第三输入端口连接，所述第二N型晶体管(MN1)的栅端与用于输入电压的第四输入端口连接，所述P型晶体管(MP0)的漏端、所述第一N型晶体管(MN0)的漏端、第二N型晶体管(MN1)的源端和用于输出电压的字线输出端口连接在一起；进行擦除操作时：在所述第一输入端口施加‑9V到‑7V之间的电压；在所述第四输入端口施加1V到3V之间的电压；当所述字线驱动装置对应的字处于选中状态时，将所述第二输入端口浮空，在所述第三输入端口施加‑9V到‑7V之间的电压；当所述字线驱动装置对应的字处于未选中状态时，在所述第二输入端口施加4V到6V之间的电压，将所述第三输入端口浮空。