| 摘要 |
感光性ポリイミド（ＰＳＰＩ）膜、例えば電子デバイス内で使用するＰＳＰＩ膜を処理する方法および装置が本明細書に提供される。いくつかの実施形態では、感光性ポリイミド（ＰＳＰＩ）膜を硬化させる方法が、選択された基板上にＰＳＰＩ膜を堆積させること、およびこの膜を、約２００〜３４０℃の選択された温度での、約２０〜２００，０００ｐｐｍの酸素濃度を含む選択された雰囲気中でのマイクロ波加熱によって硬化させることを含む。プロセス雰囲気は静止雰囲気または流動雰囲気とすることができる。酸素の追加は、アクリレート残基の除去および硬化膜のＴgを改良し、一方、このマイクロ波プロセスの低処理温度特性は、酸素がポリイミド骨格鎖を傷つけることを防ぐ。この方法はさらに、硬化させる前に、ＰＳＰＩ膜を光パーニングするステップと、ＰＳＰＩ膜を現像するステップとを含む。このプロセスは、電子工学用途のシリコン上の誘電体膜に対して特に適している。【選択図】図５ |
