发明名称 |
一种CMP片状研磨修整器及其生产方法 |
摘要 |
本发明公开了一种CMP片状研磨修整器,其包括修整本体,所述修整本体包括由外到内依次设置的超细磨粒层、中间层和基体层,所述中间层为低熔点金属或结合剂,所述超细磨粒层通过低熔点金属或结合剂与所述基体层连接。还提供一种CMP片状研磨修整器的生产方法,包括步骤:母板上预镀超细磨粒,把固定在母板的超细磨粒层反转后装到基体层上,除去母板,化学处理。本发明的CMP片状研磨修整器,使参与研磨工作的磨粒数稳定,从而使加工对象(或者PAD)的研磨量定量化,而且能使磨粒保持充分的把持力,不会掉砂并能提高效率、高精度地加工,本发明提供的CMP片状研磨修整器的生产方法简单,易操作。 |
申请公布号 |
CN104084884B |
申请公布日期 |
2017.02.15 |
申请号 |
CN201410313824.4 |
申请日期 |
2014.07.03 |
申请人 |
南京三超新材料股份有限公司 |
发明人 |
邹余耀 |
分类号 |
B24B53/12(2006.01)I;B24B53/017(2012.01)I |
主分类号 |
B24B53/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京君华知识产权代理事务所(普通合伙) 11515 |
代理人 |
朱庆华 |
主权项 |
一种CMP片状研磨修整器,其包括修整本体,其特征在于,所述修整本体包括由外到内依次设置的超细磨粒层、中间层和基体层,所述中间层为低熔点金属或结合剂,所述超细磨粒层通过低熔点金属或结合剂与所述基体层连接,所述基体层和所述超细磨粒层尖端平行,所述低熔点金属的熔点在200℃以下。 |
地址 |
211124 江苏省南京市江宁区淳化街道泽诚路77号 |