| 摘要 |
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる高分子化合物、（Ｂ）光酸発生剤、（Ｃ）カルボン酸化合物、並びに（Ｄ）（Ｄ−１）ベンゾトリアゾール化合物及び／又は（Ｄ−２）イミダゾール化合物を含有し、（Ｄ−１）ベンゾトリアゾール化合物が式（１）又は（３）で示される化学増幅ポジ型レジスト組成物。【効果】基板上の塗膜の膜厚が５〜２５０μｍ、特に１０〜１５０μｍと厚い場合のパターン形成の際に、アスペクト比で２以上の解像性を有し、特にＣｕ基板上において、基板近傍の形状に優れ、矩形のパターン形状を得ることができる。【選択図】なし |
