| 摘要 |
【課題】酸化物半導体を有するトランジスタにおいて、電気特性の変動を抑制すると共に、信頼性を向上させる。【解決手段】第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上のゲート電極と、第２の絶縁膜の側面に接する金属酸化膜と、酸化物半導体膜、ゲート電極、及び金属酸化膜上の第３の絶縁膜と、を有し、酸化物半導体膜は、ゲート電極と重なるチャネル領域と、第３の絶縁膜と接するソース領域と、第３の絶縁膜と接するドレイン領域と、を有し、ソース領域及びドレイン領域は、水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、リン、硫黄、塩素、チタン、または希ガスの１以上を有する。【選択図】図１ |
