半导体装置

摘要

本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括一基板；一第一掺杂阱，设置于基板中；一第二掺杂阱，设置于基板中并相邻于第一掺杂阱的一第一侧；一缓冲区，设置于第一掺杂阱中并相邻于第一掺杂阱的一第二侧，第二侧与第一侧相对设置；一栅结构，设置于第一掺杂阱的第一侧上方，并沿着一第一水平方向延伸；一第一接触区，设置于缓冲区中并朝向第一掺杂阱的第二侧；一第二接触区，设置于缓冲区中并相邻于第一接触区；以及一掺杂区，设置于缓冲区中并位于第一接触区下方。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：一基板，具有一第一导电型；一第一掺杂阱，具有一第二导电型，且设置于该基板中；一第二掺杂阱，具有该第一导电型，且设置于该基板中并相邻于该第一掺杂阱的一第一侧；一缓冲区，具有该第二导电型，且设置于该第一掺杂阱中并相邻于该第一掺杂阱的一第二侧，该第二侧与该第一侧相对设置；一栅结构，设置于该第一掺杂阱的该第一侧上方，并沿着一第一水平方向延伸；一第一接触区，具有该第一导电型，且设置于该缓冲区中并朝向该第一掺杂阱的该第二侧；一第二接触区，具有该第二导电型，且设置于该缓冲区中并相邻于该第一接触区；一掺杂区，具有该第二导电型，且设置于该缓冲区中并位于该第一接触区下方。