| 摘要 |
本発明の一実施形態によると，基板処理装置は，上部が開放された下部チャンバと，前記下部チャンバの上部を開閉して前記下部チャンバと共に基板に対する工程が行われる内部空間を形成する上部チャンバと，前記上部チャンバの下部に設置されて前記内部空間に向かって反応ガスを供給し，前記上部チャンバとの間にバッファ空間が形成されるシャワーヘッドと，前記バッファ空間内に設置されて前記バッファ空間を複数の拡散区域に区画する区画部材と，そして前記上部チャンバに形成されてそれぞれの前記拡散区域に向かって前記反応ガスを供給する複数のガス供給ポートと，を含む。【選択図】図１ |
