| 发明名称 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制作方法、半导体器件及电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上交替形成多个硅层和锗层；执行固相外延再生长退火工艺以使所述硅层和锗层转变为硅锗层；形成被隔离结构分隔的多个硅锗鳍片。本发明提出的半导体器件的制作方法，硅锗层中的锗浓度可根据需要通过控制硅层和锗层的厚度来实现，即，可以容易获得各种锗浓度的硅锗层，非常好控制硅锗鳍中的锗掺杂浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN106356303A | 申请公布日期 | 2017.01.25 |
| 申请号 | CN201510443534.6 | 申请日期 | 2015.07.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 邓浩;肖德元 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上交替形成多个硅层和锗层；执行固相外延再生长退火工艺以使所述硅层和锗层转变为硅锗层；形成被隔离结构分隔的多个硅锗鳍片。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||