发明名称 |
面発光レーザ、レーザアレイ、固体レーザ、情報取得装置、画像形成装置、及びレーザアレイの製造方法 |
摘要 |
【課題】 レーザ閾値の増加を低減し、出力を安定にするVCSELを提供する。【解決手段】 活性層104の上に配置されたp型の第1の半導体層105と、第1の半導体層105の上に配置され、開口部130を有する第2の半導体層106と、第2の半導体層106の上と開口部130に位置する第1の半導体層105の上に、開口部130による段差を埋めるように配置されたp型の第3の半導体層107と、を有し、第1の半導体層105は、水素を有し、第1の半導体層105は、開口部130に対応する部分の水素濃度が開口部130に対応する部分の外の部分の水素濃度よりも低い水素濃度分布を有する。【選択図】 図1 |
申请公布号 |
JP2017017172(A) |
申请公布日期 |
2017.01.19 |
申请号 |
JP20150132195 |
申请日期 |
2015.06.30 |
申请人 |
キヤノン株式会社 |
发明人 |
川島 毅士 |
分类号 |
H01S5/183;A61B5/145;B41J2/47;H01S3/00;H01S3/0941;H01S5/343;H01S5/42 |
主分类号 |
H01S5/183 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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