发明名称 |
光学邻近修正方法 |
摘要 |
一种光学邻近修正方法,包括:提供因掩膜规则检验限制而具有坏点接触孔图形的设计版图,所述坏点接触孔图形进行光刻投影模拟形成的模拟接触孔中,所述模拟接触孔在第一轴向上的实际尺寸小于预设尺寸;在所述坏点接触孔图形所在区域中,去掉设计规则中的所述掩膜规则检验限制;在去掉所述设计规则中的所述掩膜规则检验限制后,对所述坏点接触孔图形进行重新设计,直至得到第一接触孔图形,根据所述第一接触孔图形进行光刻投影模拟形成的第一模拟接触孔中,所述第一模拟接触孔在所述第一轴向上的实际尺寸大于等于所述预设尺寸。所述光学邻近修正方法能够提高形成接触孔的工艺窗口,提高良率。 |
申请公布号 |
CN106338883A |
申请公布日期 |
2017.01.18 |
申请号 |
CN201510418859.9 |
申请日期 |
2015.07.16 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
杜杳隽;程仁强 |
分类号 |
G03F1/36(2012.01)I |
主分类号 |
G03F1/36(2012.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
吴圳添;吴敏 |
主权项 |
一种光学邻近修正方法,其特征在于,包括:提供因掩膜规则检验限制而具有坏点接触孔图形的设计版图,所述坏点接触孔图形进行光刻投影模拟形成的模拟接触孔中,所述模拟接触孔在第一轴向上的实际尺寸小于预设尺寸;在所述坏点接触孔图形所在区域中,去掉设计规则中的所述掩膜规则检验限制;在去掉所述设计规则中的所述掩膜规则检验限制后,对所述坏点接触孔图形进行重新设计,直至得到第一接触孔图形,根据所述第一接触孔图形进行光刻投影模拟形成的第一模拟接触孔中,所述第一模拟接触孔在所述第一轴向上的实际尺寸大于等于所述预设尺寸。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |