| 摘要 |
디커플링 커패시터는 반대 극성의 웰(102, 104)에 형성된 한 쌍의 MOS 커패시터(106, 108)를 포함한다. 각 MOS 커패시터는 웰-유대과 고농도 임플란트(110, 112, 114, 116)의 세트를 구비하여 축적이나 결핍으로의 바이어스 하에서 고주파수 성능을 가능하게 한다. 각 MOS 커패시터의 상부 전도체는 다른 MOS 커패시터의 웰-유대에 전기적으로 연결되고 논리 트랜지스터 웰로 일관되게 바이어스된다. MOS 커패시터의 웰-유대 및/또는 고농도 임플란트는 도펀트 극성에 대하여 비대칭을 나타낸다. |
