| 摘要 |
ストレス耐性をより向上させるために、サーミスタ装置（１）は、樹脂製の第一基材部（１１）と、金属基材（２１）上に形成されたサーミスタ薄膜（２２）と、該サーミスタ薄膜（２２）上に形成された第一および第二外部電極（２３ａ，２３ｂ）を含むサーミスタ素子（１４）と、第一基材部（１１）の主面上に形成され、第一外部電極（２３ａ）および第二外部電極（２３ｂ）が接続される第一リード電極（１２）および第二リード電極（１３）と、を備えている。金属基材（２１）およびサーミスタ薄膜（２２）のそれぞれは、第一外部電極（２３ａ）および第二外部電極（２３ｂ）の間で撓んでいる。 |
