| 发明名称 | 一种光刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种光刻方法，包括：提供一衬底；在衬底上涂覆底层材料层，并且对底层材料层进行烘烤；其中，在底层材料层表面形成微气泡和/或微孔；对底层材料层进行表面处理工艺来消除底层材料层表面的微气泡和/或微孔；在经表面处理的底层材料层上形成中间层；在中间层上形成顶层光刻胶，然后进行曝光工艺。本发明通过对底层材料层表面进行溶剂或含氧等离子体的表面处理，利用化学溶剂的溶解作用或含氧等离子体的物理轰击以及化学作用，能消除底层材料层表面固有的微气泡和/或微孔，解决了微气泡和/或微孔在后续工艺过程中由于高温烘烤的作用而胀大形成大气泡的问题，从而降低了光刻胶的缺陷，提高光刻工艺质量和产品良率。 | ||
| 申请公布号 | CN106292186A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201610884336.8 | 申请日期 | 2016.10.10 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 郭晓波;毛智彪;董献国 |
| 分类号 | G03F7/16(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;陈慧弘 |
| 主权项 | 一种光刻方法，其特征在于，包括：步骤01：提供一衬底；步骤02：在衬底上涂覆底层材料层，并且对底层材料层进行烘烤；其中，在底层材料层表面形成微气泡和/或微孔；步骤03：对底层材料层进行表面处理工艺来消除底层材料层表面的微气泡和/或微孔；步骤04：在经表面处理的底层材料层上形成中间层；步骤05：在中间层上形成顶层光刻胶，然后进行曝光工艺。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||