发明名称 Transparent electrode thin film and the preparing method thereof
摘要 본 발명은 투명 전극 박막 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 나노 클러스터층을 포함함으로써 질화물 반도체와의 오믹접촉 형성을 위한 투명 전극 박막 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 질화갈륨 반도체의 표면에 스퍼터링 방식으로 투명 전극을 형성할 시 스퍼터링에 앞서 나노 클러스터 층을 형성함으로써, 스퍼터링에 의한 이온 데미지를 억제할 수 있어 질화물 반도체층에 우수한 오믹 접촉을 형성할 수 있다.
申请公布号 KR20160140522(A) 申请公布日期 2016.12.07
申请号 KR20160125722 申请日期 2016.09.29
申请人 전북대학교산학협력단 发明人 길영운;정성훈;김현수
分类号 H01L33/42;H01L21/02;H01L21/28 主分类号 H01L33/42
代理机构 代理人
主权项
地址