发明名称 贯孔漏电与击穿测试
摘要 本发明涉及一种贯孔漏电与击穿测试,各项特定具体实施例包括贯孔测试结构,该贯孔测试结构包括:第一端点,该第一端点耦接至该结构的顶层中的第一组感测线;第二端点,该第二端点耦接至该结构的该顶层中的第二组感测线,其中,该第一组感测线与该第二组感测线布置成梳齿配置;第三端点,该第三端点耦接至该结构的底层中的第三组感测线;以及多个贯孔,该多个贯孔电气耦接该结构的该顶层中的该第二组感测线至该结构的该底层中的该第三组感测线,各贯孔具有贯孔顶端及贯孔底端。
申请公布号 CN106158687A 申请公布日期 2016.11.23
申请号 CN201610192538.6 申请日期 2016.03.30
申请人 格罗方德半导体公司 发明人 F·陈;A·R·迪弗雷纳;W·C·格里芬;W·K·科尔芬巴赫
分类号 H01L21/66(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人 程伟;王锦阳
主权项 一种测试结构,其包含:第一三端点贯孔测试结构,其包括:第一端点,该第一端点耦接至该结构的顶层中的第一组感测线;第二端点,该第二端点耦接至该结构的该顶层中的第二组感测线,其中,该第一组感测线与该第二组感测线布置成梳齿配置;第三端点,该第三端点耦接至该结构的底层中的第三组感测线;以及多个贯孔,该多个贯孔电气耦接该结构的该顶层中的该第二组感测线至该结构的该底层中的该第三组感测线,各贯孔具有贯孔顶端及贯孔底端。
地址 英属开曼群岛大开曼岛