| 发明名称 | 一种N型双面电池的制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种N型双面电池的制造方法，包括：对硅片进行清洗和表面制绒；在所述硅片的正面和背面进行硼扩散，形成正面硼扩层和背面硼扩层，所述正面硼扩层的表面为硼硅玻璃；在所述硅片的正面制备SiN<sub>x</sub>掩膜；刻蚀掉所述SiN<sub>x</sub>掩膜和所述背面硼扩层；利用所述硼硅玻璃对所述硅片正面形成保护，在所述硅片的背面进行磷扩散，形成背面磷扩层，所述背面磷扩层的表面为磷硅玻璃；刻蚀掉所述硼硅玻璃和所述磷硅玻璃；在所述硅片的正面和背面制备SiN<sub>x</sub>钝化膜，并分别制备前电极和背电极。上述方法能够减少HF刻蚀的时间，避免了背面多孔硅的形成，从而有效降低电池背面的复合从而提高电池的并联电阻和开路电压，提高电池效率。 | ||
| 申请公布号 | CN106129173A | 申请公布日期 | 2016.11.16 |
| 申请号 | CN201610514814.6 | 申请日期 | 2016.06.28 |
| 申请人 | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 | 发明人 | 杨洁;福克斯·斯蒂芬;蒋方丹;金浩;黄纪德;王东;王金艺 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 罗满 |
| 主权项 | 一种N型双面电池的制造方法，其特征在于，包括：对硅片进行清洗和表面制绒；在所述硅片的正面和背面进行硼扩散，形成正面硼扩层和背面硼扩层，所述正面硼扩层的表面为硼硅玻璃；在所述硅片的正面制备SiN<sub>x</sub>掩膜；刻蚀掉所述SiN<sub>x</sub>掩膜和所述背面硼扩层；利用所述硼硅玻璃对所述硅片正面形成保护，在所述硅片的背面进行磷扩散，形成背面磷扩层，所述背面磷扩层的表面为磷硅玻璃；刻蚀掉所述硼硅玻璃和所述磷硅玻璃；在所述硅片的正面和背面制备SiN<sub>x</sub>钝化膜，并分别制备前电极和背电极。 | ||
| 地址 | 314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号 | ||