高可靠性芯片封装方法及结构

摘要

本发明公开了一种高可靠性芯片封装方法及封装结构，该封装结构包括芯片、开口、金属布线层、若干焊料凸点和塑封层，开口自芯片的正面向背面延伸形成，且开口的底部暴露出芯片的焊垫；金属布线层位于开口的内壁和芯片的背面上，且电性连接焊垫；焊料凸点位于芯片背面上，且与金属布线层电性连接；塑封层包覆住芯片背面及其四个侧面，且暴露芯片背面的焊料凸点。通过形成塑封层对芯片进行防护，且塑封层采用隔潮、防腐或机械强度性能良好的塑封材料，本发明能够进一步增强芯片的可靠性，耐用性，提升芯片的抗干扰能力，满足芯片在恶劣环境下的应用需求。

主权项

一种高可靠性芯片封装方法，其特征在于，包括以下步骤：A.提供一具有若干芯片的晶圆，采用晶圆级TSV技术，将晶圆每个芯片正面焊垫的电性通过金属布线层引到背面，并在金属布线层上预设位置制作焊料凸点，将晶圆切割成单颗芯片，完成对芯片的预封装；B.提供一基板，在基板上表面涂胶，将若干切割后的单颗预封装的芯片正面朝下贴于基板上；C.对基板上芯片背部及相邻芯片之间的空间进行整体塑封，形成塑封层，该塑封层包裹芯片的背面及四个侧面，并暴露出芯片背面的焊料凸点；D.拆解掉基板，沿预设的切割线切割塑封层，形成单颗高可靠性芯片封装结构。