| 发明名称 |
PROCESS OF MANUFACTURING FIN-FET DEVICE |
| 摘要 |
Fin-FET 디바이스를 제조하는 공정이 제공되며, 본 공정은 다음의 단계들을 포함한다. 활성 핀 구조물과 더미 핀 구조물이 기판으로부터 형성되며, 격리층이 활성 핀 구조물과 더미 핀 구조물 위에 덮혀진다. 그런 후, 더미 핀 구조물 위의 격리층은 제거되고, 더미 핀 구조물은 선택적으로 에칭되며, 이 때 격리층에 대한 더미 핀 구조물의 선택비는 8을 넘는다. |
| 申请公布号 |
KR20160123955(A) |
申请公布日期 |
2016.10.26 |
| 申请号 |
KR20150161644 |
申请日期 |
2015.11.18 |
| 申请人 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. |
发明人 |
CHANG CHIA WEI;LIU ERIC CHIH FANG;CHEN RYAN CHIA JEN;LIN CHIA TAI;PENG CHIH TANG;CHANG AN SHEN |
| 分类号 |
H01L21/8234;H01L29/417;H01L29/66;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/8234 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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