| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制造方法，其中公开了具有栅电极和氧化物半导体层以栅极绝缘层插入该栅电极和氧化物半导体层之间的方式设置并且源/漏电极电气连接至氧化物半导体层的结构的薄膜晶体管的制造方法，该方法包括：通过使用溅射，在源/漏电极、栅极绝缘膜和氧化物半导体层中的任何一个上依次沉积作为保护膜的氧化铝(Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)层和铝(Al)层。 | ||
| 申请公布号 | CN102456581B | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201110355115.9 | 申请日期 | 2011.10.28 |
| 申请人 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 发明人 | 石井孝英;大岛宜浩 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制造方法，所述薄膜晶体管具有栅电极和氧化物半导体层被设置为栅极绝缘膜插入所述栅电极和所述氧化物半导体层之间、并且源电极/漏电极电连接至所述氧化物半导体层的结构，所述方法包括：在基板上形成栅电极；隔着所述栅极绝缘膜在所述栅电极上形成所述氧化物半导体层；以及在所述氧化物半导体层上形成所述源电极/漏电极，其中，在形成所述源电极/漏电极之后，所述方法包括：通过使用溅射，在所述源电极/漏电极上，依次连续沉积所述氧化铝(Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)层和所述铝(Al)层，其中，所述氧化铝层作为保护膜，以及将在通过使用所述溅射在所述源电极/漏电极上依次连续沉积作为所述保护膜的所述氧化铝(Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)层以及所述铝(Al)层的过程中所形成的所述铝层全部去除。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||