| 发明名称 | 一种高性能非易失性铁电晶体管存储器制备 | ||
| 摘要 | 高性能非易失性铁电晶体管存储器，包括以p型硅为衬底，生长200‑300nm二氧化硅为绝缘层，在二氧化硅上生长一层无机非晶氧化物‑‑氧化铟硅作为半导体层，同时在半导体层两侧边缘蒸镀源极和漏极，在氧化铟硅上旋涂铁电材料即聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯)(P(VDF‑TrFE)),在P(VDF‑TrFE)上蒸镀栅极，就制备成了顶栅顶接触结构的非易失性铁电晶体管存储器。这种有机和无机混合结构器件是公认的显示器应用方面很有前景的器件，有机薄膜场效应晶体管使用的有机材料有价格低廉，可大面积制备。 | ||
| 申请公布号 | CN105977258A | 申请公布日期 | 2016.09.28 |
| 申请号 | CN201610309711.6 | 申请日期 | 2016.05.11 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 李昀;王宇;宋磊;木津泷;塚越一仁;施毅 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I;H01L21/443(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人 | 陈建和 |
| 主权项 | 一种高性能非易失性铁电晶体管存储器，其特征是包括以p型硅为衬底，生长200‑300nm二氧化硅为绝缘层，在二氧化硅上生长一层无机非晶氧化物‑‑氧化铟硅作为半导体层，同时在半导体层两侧边缘蒸镀源极和漏极，在氧化铟硅上旋涂铁电材料即聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯)(P(VDF‑TrFE)),在P(VDF‑TrFE)上蒸镀栅极，就制备成了顶栅顶接触结构的非易失性铁电晶体管存储器。 | ||
| 地址 | 210046 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号 | ||