具有稳定阈值电阻转变特性的材料以及动态随机存储器件

摘要

本发明提供了一种具有稳定阈值电阻转变特性的材料，其为具有非晶硅或纳米晶硅颗粒嵌入的氧化硅薄膜，膜的厚度为30‑80nm。一种动态随机存储器件，包括顶电极、阻变介质层、衬底和背电极，该阻变介质层为上述具有非晶硅或纳米晶硅颗粒嵌入的氧化硅薄膜。所述顶电极可以采用Cu为材料。本发明选用了COMS工艺兼容的技术来制备动态随机存储器件，制备过程主要采用了物理法沉积薄膜设备和退火设备。通过控制靶材二氧化硅和硅片的表面积比、生长时间、生长气压、电源功率、退火温度和时间等参数，达到人为控制纳米颗粒嵌入的氧化硅薄膜状态的目的，从而得到具有较低的转变电压和转变电流的器件。

主权项

一种具有稳定阈值电阻转变特性的材料，其特征在于，其为具有非晶硅或纳米晶硅颗粒嵌入的氧化硅薄膜，膜的厚度为30‑80nm。